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固態硬盤價格又漲?韓國廠計劃推出新的321層 NAND閃存


(資料圖片)

據悉,三星電子計劃于明年生產第9代V-NAND閃存,該產品將采用雙層堆棧架構,層數超過300層。另一方面,SK海力士計劃在2025年上半年量產采用三層堆棧架構的321層NAND閃存。提高存儲密度的手段除了提高層數外,還包括其他方案。目前,4bit單元(QLC)型3D NAND閃存已經實現商業化,而且SSD受益于此也已經變成了“白菜價”。盡管SSD目前已經有開始漲價的跡象,但幾家大廠已經開始研發下一代的5 bit單元(PLC)方案,預計未來將推出容量更大、速度更快的固態硬盤。在FMS 2023閃存峰會上,SK海力士展示了其新型PLC(5-Bit MLC)技術的研究成果。這一技術原理上類似鎧俠2019年開發的Twin BiCS FLASH技術,即用兩個2.5 bit單元,這樣雙線程同時寫入的話一定會比5 bit存儲快得多。在5 bit單元中,一個存儲單元中可以包含32個不同的閾值電壓,而常規方式下用PLC寫入并驗證32個不同的閾值電壓所需時間是TLC的近20倍,這顯然是用戶無法接受的。因此,SK海力士設計了一種新型PLC,將一個5bit單元分為兩個2.5 bit點位,每個點也存儲2.5 bit。然后綜合各個點的數據獲得5 bit數據,這樣就可以使PLC寫入時間與TLC(3bit單元)大致相同。實際上,Solidigm一年前已經展示過首款采用PLC-NAND的SSD,它沿用了當前QLC-NAND一樣的192層閃存,但由于每個單元由5 bit(而非4 bit)點組成,其密度增加至23.3 Gbit / mm?,創下了最高記錄;而憑借321層的第9代新型TLC-NAND,預計SK海力士有望達到20 Gbit / mm?以上的密度。然而,更多的層數也意味著更多的工作步驟和更高的成本,預計早期產品依然還會很貴。

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