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ECLIPSE項目旨在建立先進氮化鎵外延片材料的生產和供應機制；標志著Transphorm在技術開發方面再次獲得政府合同

Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)是一家全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體公司，在核心技術和產量上均領先業界。公司今天宣布，已獲得一份來自National Security Technology Accelerator (NSTXL)的合同，價值高達1500萬美元。該合同的內容與ECLIPSE項目有關，根據該合同，NSTXL將委托Transphorm生產先進的氮化鎵外延片。公司能夠有機會為該項目做出貢獻，彰顯出Transphorm在先進氮化鎵材料領域的知識產權、知識和專長，以及其MOCVD制造基礎設施的優勢。

Transphorm在氮化鎵外延片的設計、開發以及各種突破性高壓氮化鎵平臺的生產方面擁有超過十年的經驗。作為一家半導體先驅企業，上述專長讓Transphorm進入了功率和射頻氮化鎵業務的多個垂直領域。

Transphorm首席技術官兼聯合創始人Umesh Mishra表示：“眾所周知，先進氮化鎵材料應用廣泛，擁有顯著的價值和發展潛力。我們已經開發了多個高功率密度平臺，實現了創紀錄的性能和效率優勢，我們的產品非常適合功率轉換和射頻應用。這種類型的創新正是Transphorm的優勢所在，因為我們能夠生產適合各種應用的優質核心外延材料，并擁有先進的設備和制造能力。我們一直致力于發展和改進氮化鎵技術的各個方面，包括材料、設計和工藝等等。我們期待ECLIPSE項目能夠順利開展，以增強我們提供先進氮化鎵外延片的能力。”

該合同的投標流程由National Security Technology Accelerator (NSTXL)以“其他交易協議”(OTA)的方式進行管理。

關于 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計和制造用于高壓功率轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體。Transphorm擁有龐大的功率氮化鎵知識產權組合，持有或取得授權的專利超過1000項，生產了業界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的器件業務模式，公司能夠在包括設計、制造、器件和應用支持在內的每個開發階段進行創新。Transphorm的創新使功率電子產品超越了硅的限制，實現了99%以上的效率，將功率密度提高50%，并使系統成本降低20%。Transphorm總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN關注我們。

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