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科學家研發 BBCube:速度是 HBM2M 內存 4 倍、功耗僅 1/5


(相關資料圖)

IT之家 7 月 7 日消息,來自東京工業大學的科研團隊近日研發出可堆疊內存,其傳輸速度是 HBM2E 內存的 4 倍,功耗僅為五分之一。

科研團隊將其成為 BBCube,最大的亮點災區去除了傳統內存的逐層焊接晶體布局。

科研團隊在 2023 年 6 月舉行的 VLSI IEEE Symposium 2023 大會上得到了同行論證,不僅提出了這一新概念,還詳細描述了生產這種存儲器的技術流程。

IT之家注:高帶寬存儲器(HBM)是三星電子、超微半導體和 SK 海力士發起的一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合,像是圖形處理器、網絡交換及轉發設備等。

生產 HBM 內存的現有方法限制了其功能,堆疊中的每一層(DRAM 芯片)不能制造得比特定規格更薄,并且層之間的球接觸(ball contacts)數量不能增加超過特定值,否則存在機械損壞和短路的風險。

科研團隊提議在 DRAM 封裝過程中去除球接觸,可以讓芯片變得更薄,降低每一層的機械應力,縮短 TSV 的過孔線。

研究團隊負責人 Takayuki Ohba 教授表示:“BBCube 3D 有潛力實現每秒 1.6 TB 的吞吐量,比 DDR5 快 30 倍,比 HBM2E 快四倍。”

IT之家在此附上詳細論文地址,感興趣的用戶可以深入閱讀。

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