從器件技術和性能發展來看，功率半導體的器件結構向復雜化演進，先后出現二極管、晶閘管、MOSFET 和 IGBT 等器件。中國功率半導體行業起步較晚，整體技術水平落后于美國、歐洲、日本和韓國，國內產品種類相對單一，以硅基二極管和晶閘管為主，MOSFET 和 IGBT 產品近年才有所發展。

黃山芯微電子股份有限公司（以下簡稱“芯微電子”或“公司”）主要從事功率半導體芯片、器件和材料的研發、生產和銷售，產品以晶閘管為主，涵蓋 MOSFET、整流二極管和肖特基二極管及上游材料（拋光片、外延片、銅金屬化陶瓷片）。公司產品主要應用于工業控制、消費電子、電力傳輸等領域。值得注意的是，芯微電子擬在沖刺創業板上市。

芯微電子建有安徽省功率半導體芯片工程技術研究中心、省級企業技術中心，博士后科研工作站研發平臺。研發團隊具備芯片正向研發設計能力，可以自主完成器件、工藝和芯片版圖的仿真與設計，擁有安徽省首批戰略性新興產業技術領軍人才、安徽省技術領軍人才、安徽省特支計劃創新領軍人才、黃山市專業技術拔尖人才以及正高級工程師職稱的業內知名器件專家帶領的核心團隊，多位團隊成員具有超過二十年功率半導體產業鏈 IDM 模式下的研發經驗和專業背景。

公司自創立以來一直深耕功率半導體行業，近年來，公司產品線不斷向上游核心材料延伸，成為國內功率半導體行業少數集上游原材料生產、芯片研發、晶圓制造及封裝測試為一體的廠商之一，本次募集資金投資項目有利于提升公司創新創造能力。研發中心建設項目通過提升公司研發的軟硬件水平，為公司的創新活動提供更加優越的環境，提高研發效率，吸納優秀技術研發人才，是公司業務創新的重要渠道。

未來，公司將在現有產品基礎上，通過研發、設計等手段實現產品的升級換代、提高產品可靠性、降低產品成本形成差異化競爭的優勢；通過管理水平的提升實現產品生產的一致性和穩定性。重視人才自主培養、搭建研發平臺，為人才培育及科技創新提供高質量的支撐和發展環境。

免責聲明：市場有風險，選擇需謹慎！此文僅供參考，不作買賣依據。

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